在電子封裝技術(shù)領(lǐng)域曾經(jīng)出現(xiàn)過兩次重大的變革。
第一次變革出現(xiàn)在20世紀(jì)70年代前半期,其特征是由針腳插入式安裝技術(shù)(如DIP)過渡到四邊扁平封裝的表面貼裝技術(shù)(如QFP);第二次轉(zhuǎn)變發(fā)生在20世紀(jì)90年代中期,其標(biāo)志是焊球陣列.BGA
型封裝的出現(xiàn),與此對(duì)應(yīng)的表面貼裝技術(shù)與半導(dǎo)體集成電路技術(shù)一起跨人21世紀(jì)。隨著技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了許多新的封裝技術(shù)和封裝形式,如芯片直接粘接、灌封式塑料焊球陣列(CD-PBGA)、倒裝片塑料焊球陣列(Fc-PBGA)、芯片尺寸封裝
(CSP)
以及多芯片組件
(MCM)
等,在這些封裝中,有
相當(dāng)一部分使用了液體環(huán)氧材料封裝技術(shù)。灌封,就是將液態(tài)環(huán)氧樹脂復(fù)合物
用機(jī)械或手工方式灌入裝有電子元件、線路的器件內(nèi),在常溫或加熱條件下同
化成為性能優(yōu)異的熱同性高分子絕緣材料。
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產(chǎn)品性能要求
灌封料應(yīng)滿足如下基本要求:性能好,適用期長(zhǎng),適合大批量自動(dòng)生產(chǎn)線
作業(yè);黏度小,浸滲性強(qiáng),可充滿元件和線間;在灌封和固化過程中,填充劑
等粉體組分沉降小,不分層;固化放熱峰低,固化收縮小;同化物電氣性能和
力學(xué)性能優(yōu)異,耐熱性好,對(duì)多種材料有良好的粘接性,吸水性和線膨脹系數(shù)
小;在某些場(chǎng)合還要求灌封料具有難燃、耐候、導(dǎo)熱、耐高低溫交變等性能。
在具體的半導(dǎo)體封裝中,由于材料要與芯片、基板直接接觸,除滿足上述
要求外,還要求產(chǎn)品必須具有與芯片裝片材料相同的純度。在倒裝芯片的灌封
中,由于芯片與基板間的間隙很小,要求灌封料的黏度極低。